标签: NCE60P25KVB

型号：NCE60P25K-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-阈值电压：-1.5Vth(V)-封装类型：TO252应用简介：NCE60P25K-VB是一款具有P沟道结构的功率MOSFET。它具有负向-60V的额定电压和-22A的额定电流，适用于需要控制P沟道MOSFET进行功率开关的应用场景。该器件的导通电阻在10V电压下为48mΩ，在4.5V电压下为57mΩ，能够提供低电阻和高效能的特性。阈值电压为-1.5Vth(V)，能够实现精确控制。NCE60P25K-VB常用于以下领域模块：1.电源管理模块：该器件可用于电源开关、电源逆变器、DC-DC转换器等电源管理模块中，提供高效能、低电阻的开关控制。2.马达驱动模块：该器件可用于马达驱动电路，控制马达的启动和停止，实现高效能的驱动控制。3.照明模块：该器件可用于LED照明驱动电路，调节LED的亮度，提供高效能的照明控制。4.电源逆变器模块：该器件可用于电源逆变器电路，实现电能的转换和变换，提供高效能的逆变控制。总之，NCE60P25K-VB是一款适用于各种功率开关应用的P沟道MOSFET，具有低电阻、高效能和精确控制等特点，广泛应用于电源管理、马达驱动、照明和电源逆变器等领域模块中。