标签: SQD40P1040LGE3VB

型号：SQD40P10-40L-GE3-VB丝印：VBE2104N品牌：VBsemi参数：P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(±V)；-1.92Vth(V)；TO252详细参数说明：-型号：SQD40P10-40L-GE3-VB-功能类型：P沟道功率MOSFET-最大电压：-100V-最大电流：-40A-开通电阻：33mΩ@10V，36mΩ@4.5V-栅源电压：±20V-阈值电压：-1.92V-封装：TO252应用简介：这款SQD40P10-40L-GE3-VB产品是一种P沟道功率MOSFET，适用于多种领域的模块中。其具有低电阻（低RDS(ON)）和高电流特性，可在高电压和高功率应用中提供良好的性能。该器件在TO252封装中提供了便于安装和热管理的方式。这些产品主要用于以下领域模块：-电源模块：可用于电源开关，以提供稳定的电源输出。-汽车电子：适用于汽车电子模块中的电源开关、电机驱动等应用。-工业自动化：可用于马达控制、电机驱动、开关电源等工业自动化应用。-可再生能源：适用于太阳能逆变器、风力发电控制器等可再生能源装置中的电源开关和驱动应用。总之，SQD40P10-40L-GE3-VB是一款高性能的低电阻P沟道功率MOSFET，适用于电源、汽车电子、工业自动化和可再生能源等领域的模块。