标签: NTMD4840NR2GVB

型号：NTMD4840NR2G-VB丝印：VBA3316品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道场效应管(N-channelMOSFET)-额定电压：30V-额定电流：8.5A-漏极电阻：RDS(ON)=20mΩ@10V,12mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-阈值电压：1.5V-封装：SOP8应用简介：NTMD4840NR2G-VB是一款高性能N沟道场效应管，常用于各种电子设备中。其低漏极电阻和高电流能力使其适用于高速开关电路和功率放大器等场景。该器件可在20V的门源电压范围内正常工作，且具有较低的阈值电压。此外，它还具有较小的封装尺寸，便于集成到紧凑型模块中。这些产品适用于以下领域模块：1.电源模块：NTMD4840NR2G-VB可用于电源开关和功率放大器，能够提供高效、稳定的电源输出。2.电动工具：该器件的高电流能力和低漏极电阻，使其适用于电动工具的控制电路，提供高效的功率输出。3.车载电子：由于车载电子设备对性能和可靠性的要求较高，NTMD4840NR2G-VB可用于汽车电子模块，如倒车雷达、车载充电器等。4.工控设备：工业自动化设备通常需要高电流和高速开关电路，该器件可满足工控设备的需求，如工业机器人、PLC等。5.LED照明：NTMD4840NR2G-VB可用于LED照明控制电路，提供稳定的功率供应和高效的能源管理。总之，NTMD4840NR2G-VB适用于需要高电流、低漏极电阻和高效能的电子设备，广泛应用于电源模块、电动工具、车载电子、工控设备和LED照明等领域模块中。