标签: UT6898GS08RVB

型号：UT6898G-S08-R-VB丝印：VBA3211品牌：VBsemi参数：-2个N沟道 -20V -10A -RDS(ON):11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V-12Vgs(±V) -0.8~2.5Vth(V)-SOP8封装详细参数说明：1.2个N沟道：该型号芯片内含有2个N沟道MOS管，可用于功率开关和电压放大应用。2.20V：芯片可承受的最大工作电压为20V。3.10A：芯片最大允许电流为10A，适用于高功率应用。4.RDS(ON):在给定电压和电流条件下，芯片的导通电阻为11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V。导通电阻越低，芯片损耗越小，效率越高。5.12Vgs(±V)：芯片的最大栅源电压为12V，可支持高压应用。6.0.8~2.5Vth(V)：芯片的阈值电压范围为0.8V至2.5V，阈值电压越低，芯片工作速度越快。应用简介：该型号的VBsemiMOS管适用于各种领域的模块应用，特别是在高功率应用中表现出色。一些常见的应用包括但不限于：1.电源模块：可用于电源开关、稳压模块等，可以提供高效率和稳定的电能转换。2.驱动模块：适用于驱动电机、大功率负载等，可以提供高效率和高驱动力。3.照明模块：可用于LED照明驱动电路，提供高效率的电能转换和稳定的电流输出。4.电动车辆模块：适用于电动车辆中的驱动电路、充电桩、电动汽车充电模块等，可以提供高效率和稳定的电能转换。总之，UT6898G-S08-R-VB型号的VBsemiMOS管适用于各种领域的模块应用，特别是高功率应用，可以提供高效率、高性能和稳定的电能转换。