标签: SM3113NSUCTRGVB

详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V-Vgs：20Vgs(±V)-阈值电压：1.9Vth(V)-封装：TO252应用简介：该产品是一款具有高性能的N沟道MOSFET，适用于各种应用领域。它具有低的导通电阻和高的开关速度，可以提供有效的电流控制和热稳定性，使其广泛应用于各种功率电子设备和模块中。该产品适用于以下领域模块：1.电源模块：由于该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的额定电流，能够提供稳定的电源输出，因此适用于配电系统、逆变器和稳压器等电源模块。2.电机驱动模块：在电机驱动模块中，该MOSFET可以提供高电流和低导通电阻，实现高效的电机控制。3.照明模块：由于该MOSFET具有较高的额定电流和低导通电阻，适用于LED驱动器和照明模块，能够提供高亮度和高效率的照明效果。4.汽车电子模块：在汽车电子模块中，该MOSFET可以用于电动汽车充电桩、电动车控制器、发动机控制单元等功率电子设备，提供高性能和稳定的功率控制。总之，SM3113NSUC-TRG-VB是一款适用于各种功率电子设备和模块的高性能N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高额定电流和稳定的性能，可广泛应用于电源模块、电机驱动模块、照明模块和汽车电子模块等领域。