标签: SI1304BDLT1GE3VB

型号:SI1304BDL-T1-GE3-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压(Vgs):±12V-阈值电压(Vth):1~3V-封装类型:SC70-3应用简介:SI1304BDL-T1-GE3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：1.**电源管理**:这款晶体管可用于电源管理模块，帮助实现电源的高效控制和管理，尤其在便携式设备中。2.**电流控制**:由于其高电流承受能力和低导通电阻，它适用于需要电流控制的电子模块，如电机驱动、电池充放电控制等。3.**信号开关**:SI1304BDL-T1-GE3-VB可用于信号开关电路，适用于数据传输和信号处理模块，如高频应用。4.**LED照明**:在LED照明控制模块中，这款晶体管可以用作电流调节器和开关，实现亮度控制和颜色温度调整。5.**电池保护**:它还可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定。总之，SI1304BDL-T1-GE3-VB适用于多种电子模块和电路，包括电源管理、电流控制、信号开关、LED照明和电池保护等领域。其N沟道特性、高电流承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件。