标签: TSSOP8

型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源极电压范围：±20V-阈值电压：1~3V-封装类型：TSSOP8应用简介：SI6913DQ-T1-GE3-VB是一款P沟道功率MOSFET，适用于各种电路模块中的功率开关和电路控制应用。由于其低导通电阻和低阈值电压，使其特别适用于需要在低电压和高电流条件下工作的应用。具体应用领域模块如下：1.电源模块：SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源模块中的功率开关，用于控制电源的开关和调节功率的大小。2.电动工具模块：在电动工具中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器，控制电动工具的功率输出和运行状态。3.LED照明模块：SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作LED照明模块中的开关器，控制LED的亮度和开关。4.电动车辆模块：在电动车辆中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器，控制电动车辆的动力输出和控制。5.手持设备模块：在手持设备中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源管理模块，控制电池的供电和功耗管理。总之，SI6913DQ-T1-GE3-VB适用于各种需要功率开关和电路控制的应用中，特别适用于低电压和高电流条件下的模块。

型号：AO8808A-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数说明：-**双N沟道：**该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VDS）：**20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。-**持续电流（ID）：**7.6A，表示MOSFET可以承受的最大电流。-**导通电阻（RDS(ON))：**13mΩ@4.5V，20mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**0.6V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。-**封装：**TSSOP8，这是一种小型表面贴装封装，通常用于紧凑的电路设计。应用简介：这种双N沟道MOSFET适用于多种功率电子应用，包括但不限于：1.**电源开关：**用于电源开关电路，如DC-DC转换器、电源管理单元和电源供应器，以控制电流和电压。2.**电池保护：**用于电池保护电路，以控制电池充电和放电，防止过电流和过压。3.**电源逆变器：**用于逆变器应用，将直流电转换为交流电，通常在太阳能逆变器和UPS系统中使用。4.**电机控制：**用于电机控制应用，包括电机驱动器和电动车辆控制。5.**LED驱动器：**用于LED照明应用，以实现高效的LED灯光控制。6.**移动设备：**在手机、平板电脑和便携式电子设备中，用于电源管理和电池保护。这种双N沟道MOSFET可以用于需要N沟道器件的电子电路，提供可靠的电流控制和开关性能，通常用于功率电子领域以提高效率和性能。

型号：AO8810-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：20V-最大连续电流：7.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：13mΩ@4.5V,20mΩ@2.5V-门源极电压（Vgs）：12V（±V）-阈值电压（Vth）：0.6V-封装类型：TSSOP8应用简介：AO8810-VB是一款2个N沟道低电压低导通电阻MOSFET集成在同一封装中，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源开关模块**：该MOSFET可用于低电压电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备和低电压电源系统。2.**电池管理模块**：在便携式设备和电池供电系统中，此MOSFET可用于电池管理系统，包括电池保护和电池充放电控制。3.**低电压DC-DC变换器**：AO8810-VB可用作低电压DC-DC变换器的开关器件，用于电压升降和电能转换。4.**电机控制模块**：在低电压电机控制模块中，这款MOSFET可以用于电机驱动、步进电机控制和无刷直流电机驱动。5.**便携式电子模块**：在需要低电压电源管理和功率开关的应用中，如便携式医疗设备、便携式电子设备和低电压传感器节点，这款MOSFET可以用于功率管理和电源控制。这些是一些可能用到AO8810-VB2个N沟道低电压低导通电阻MOSFET的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要低电压和低导通电阻的低电压应用，特别是在需要高性能功率开关的场合。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。

型号：STC5NF20V-VB丝印：VBC6N2022品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：4.8A(每个N沟道)-静态导通电阻（RDS(ON)）：20mΩ@4.5V,22mΩ@4.5V(每个N沟道)-门源极电压（Vgs）：-15V至15V-阈值电压（Vth）：0.6V至2V(每个N沟道)-封装类型：TSSOP8**应用简介：**STC5NF20V-VB是一款双N沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块：1.**电源开关模块：**由于具有两个N沟道MOSFET，STC5NF20V-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器、开关稳压器和电源模块。这些模块广泛应用于通信设备、工业电源和电子设备中。2.**电池保护：**该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、电动工具和电动汽车非常关键。3.**电池充电管理：**在电池充电管理模块中，STC5NF20V-VB可以用于电池充电电路，确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。4.**信号开关：**由于具有两个独立的N沟道MOSFET，STC5NF20V-VB可用于模拟和数字信号开关，例如在通信设备、音频放大器和传感器接口中。5.**电流控制：**该产品还可以应用于电流控制模块，例如电流传感器和电流源。它可以帮助实现精确的电流控制。总之，STC5NF20V-VB是一款多功能的双N沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电池保护、电池充电管理、信号开关和电流控制等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。

型号:UPA1870BGR-VB丝印:VBC6N2014品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:20V-最大电流:7.6A-静态导通电阻(RDS(ON)):13mΩ@4.5V,20mΩ@2.5V-门源电压(Vgs):±12V-阈值电压(Vth):0.6V-封装类型:TSSOP8应用简介:UPA1870BGR-VB是一款双N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：1.**电源开关**:这款晶体管可用于电源开关电路，帮助实现高效的电源控制和管理，特别适用于便携式设备和电源管理模块。2.**电机控制**:由于其高电流承受能力和低导通电阻，它适用于电机驱动模块，用于控制电机的速度和方向，例如电动工具、电动车电机控制和风扇驱动。3.**逆变器**:在逆变器模块中，UPA1870BGR-VB可以用作开关器件，帮助转换直流电源为交流电源，用于太阳能逆变器、电源逆变器等应用。4.**电池保护**:它还可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定，例如便携式电子设备和电池管理系统。5.**LED驱动**:在LED照明控制模块中，这款晶体管可用作电流调节器和开关，实现对LED灯的亮度和颜色温度的控制。总之，UPA1870BGR-VB适用于多种电子模块和电路，包括电源开关、电机控制、逆变器、电池保护和LED驱动等领域。其双N沟道特性、高电流承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件。