标签: IRFU014PBFVB

型号：IRFU014PBF-VB丝印：VBFB1630品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：25A-导通电阻（RDS(ON)）：32mΩ@10V-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压（Vth）：2.4V-封装：TO251应用简介：IRFU014PBF-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有较高的额定电压和电流承受能力。它适用于需要高电压和高电流开关的领域，如电源开关、电机控制和工业应用。详细参数说明：1.**类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为60V。这表示在正常工作条件下，其电压可以达到60V。3.**最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为25A。这使它能够处理高电流负载。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为32mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压为2.4V。这是启动MOSFET导通的门源电压。7.**封装**：这款MOSFET采用TO251封装，这是一种常见的功率封装类型，适用于高功率电子应用。应用领域：IRFU014PBF-VB这款MOSFET适用于多种需要高电压和高电流开关的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：1.**电源开关**：可用于高电压开关电源，如电压转换和电源稳定。2.**电机控制**：在电机控制器中用于控制电机的速度和方向，特别是用于工业电机。3.**电力逆变器**：用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器和电力逆变器。4.**高电压电源管理**：用于高电压电源管理和电流控制电路，如工业控制系统。5.**电动工具**：在需要高功率和高效能的电动工具中，如电动钻机和电锯。总之，这款N沟道MOSFET适用于需要高电压和高电流开关的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在高功率和工业应用中。