标签: TN0200TST1E3VB

型号：TN0200TS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：20V-最大持续电流：6A-开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5Vgs、33mΩ@2.5Vgs-阈值电压（Vth）：0.45V到1V可调-封装类型：SOT23应用简介：TN0200TS-T1-E3-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电子应用，具有低电阻和适度的电压和电流承受能力。以下是它的一些主要应用领域：1.电源管理模块：这款MOSFET适用于低功率电源管理模块。它可以用于开关稳压器、电源适配器和直流-直流变换器等应用中，有助于提供高效率和稳定的电源输出。2.电池保护模块：由于其适度的电流承受能力和低电阻，它可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电时的安全性和性能。3.信号开关：TN0200TS-T1-E3-VB也可用于信号开关和电路保护，用于控制和管理信号通路，例如在通信设备、音频放大器和控制电路中。4.低电压电路：由于其低电阻和可调阈值电压，这款MOSFET特别适用于低电压电路中，例如移动设备、便携式电子设备和低功耗应用。总之，TN0200TS-T1-E3-VB是一款适用于低功率电子应用的N沟道MOSFET，特别适用于电源管理、电池保护、信号开关和低电压电路等领域。它在小型电子设备和便携式电子产品中具有广泛的用途。