标签: MMDF3P03HDR2GVB

型号：MMDF3P03HDR2G-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压（Vth）：-1.5V-封装：SOP8应用简介：MMDF3P03HDR2G-VB是一款双P沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于需要负向电压操作的电子应用。它在电源开关、电池管理和负载开关等领域具有广泛的应用。详细参数说明：1.**类型**：这是一款双P沟道MOSFET，意味着它在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要同时控制两路负向电压的电路中。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为-30V。这表示它可以在负向电压条件下工作。3.**最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为-7A。负号表示电流流向是从源到漏极。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为35mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压为-1.5V。这是启动MOSFET导通的门源电压。7.**封装**：这款MOSFET采用SOP8封装，这是一种常见的封装类型，适用于多种电路应用。应用领域：MMDF3P03HDR2G-VB这款双P沟道MOSFET适用于多种需要负向电压操作的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：1.**电源开关**：可用于负向电压电源开关，如电压转换和电源控制。2.**电池管理**：可用于电池充电和放电管理，以确保安全和高效的电池使用。3.**负载开关**：用于控制负载的通断，如LED照明系统、电动工具和电子设备。4.**电源保护**：可用于电源保护电路，以防止过流、过压等异常情况。5.**电流控制**：可用于电流控制电路，如电机控制和电流放大器。总之，这款双P沟道MOSFET适用于需要负向电压操作的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在需要控制两路负向电压的应用中。