标签: MDD1754RHVB

型号：MDD1754RH-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-最大连续漏极电流：50A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V，14mΩ@4.5V-门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：1.78V-封装：TO252应用简介：MDD1754RH-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有较高的电流承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在多种应用领域中非常有用。应用领域：1.**电源模块**：由于MDD1754RH-VB具有低漏极-源极电阻，它适用于开关电源和电池管理系统，有助于提高能源转换效率。2.**电机驱动**：这种MOSFET器件的高电流承受能力使其非常适合用于电机驱动器和电机控制模块。它能够在电机控制系统中提供高性能。3.**电动汽车**：在电动汽车的电力控制单元中，MDD1754RH-VB可以用于电池管理、电机驱动和充电控制，以提高电动汽车的效率和性能。4.**工业自动化**：在工业自动化系统中，这种MOSFET器件可用于控制和调整工业设备、机械和传感器，以实现自动化和智能控制。5.**LED照明**：MDD1754RH-VB可用于LED驱动器和照明控制，以实现高效的LED照明系统。总之，MDD1754RH-VB是一款多功能的电子器件，适用于各种需要高电流、低电阻、高效率和可靠性的应用领域。