标签: NTD4863NT4GVB

型号：NTD4863NT4G-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：60A-静态开启电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,11mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：20V（±V）-阈值电压（Vth）：1.6V-封装类型：TO252应用简介：NTD4863NT4G-VB是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流和低导通电阻，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现电源的开关和调节。它具有高电流承受能力和低导通电阻，适用于高功率电源系统。2.**电机控制模块**：NTD4863NT4G-VB可用于电机控制模块，包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。其低导通电阻有助于提高电机效率和性能。3.**电池保护模块**：在电池供电系统中，此MOSFET可用于电池保护电路，以防止过放电和过充电。其高电流和电压特性使其适用于处理高功率电池。4.**DC-DC变换器**：在DC-DC变换器中，NTD4863NT4G-VB可用作开关器件，以帮助实现电压升降和电能转换。5.**电子负载模块**：在需要高电流负载开关的应用中，例如电子负载或电源测试设备，该MOSFET可以用来实现高功率开关。这些是一些可能用到NTD4863NT4G-VBN沟道MOSFET的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要处理高电流和功率的应用，特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。