标签: ISL9N308AD3VB

型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：60A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：1.6V-封装：TO252应用简介：ISL9N308AD3-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有高电流承受能力和低漏极-源极电阻。这使其适用于多种高性能电子应用领域。应用领域：1.**电源模块**：由于ISL9N308AD3-VB具有低漏极-源极电阻，它适用于开关电源、电池保护和电源管理模块，有助于提高电能转换效率。2.**电机驱动**：这种MOSFET器件的高电流承受能力使其非常适合用于电机驱动器、电机控制和电机保护，可用于各种电机应用。3.**电池管理**：在电动汽车、电动工具和便携式设备中，ISL9N308AD3-VB可用于电池管理系统，确保电池的安全充放电和保护。4.**高频开关电路**：由于其低电阻和高性能，这种MOSFET适用于高频开关电路，如DC-DC变换器、电源逆变器等。5.**LED驱动**：ISL9N308AD3-VB可用于LED驱动器和照明控制，以提供高效的LED照明。总之，ISL9N308AD3-VB是一款多功能的电子器件，适用于需要高电流、低电阻、高效率和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、高频开关电路、LED照明等模块。