标签: AF2301PVB

型号：AF2301P-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门极-源极电压（Vgs）：12V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：-0.81V-封装：SOT23应用简介：AF2301P-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有适中的电流承受能力和适用于低电压应用的低漏极-源极电阻。这使其在多种电子应用领域中非常有用。应用领域：1.**电源模块**：由于AF2301P-VB适用于低电压应用，并具有适中的电流承受能力，它可用于电源管理模块、电池保护和低电压电源管理。2.**信号开关**：这种MOSFET器件可用于各种低电压信号开关应用，例如低电压信号切换和电路保护。3.**便携式设备**：AF2301P-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池管理，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。4.**低电压电源**：在低电压应用中，这种MOSFET适用于低电压电源管理、DC-DC变换器和低电压电路。总之，AF2301P-VB是一款多功能的电子器件，适用于需要低电压、适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、便携式设备、低电压电源等模块。