标签: 2SJ356VB

型号:2SJ356-VB丝印:VBI2658品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-5A-静态导通电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):70mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):1V至3V-封装:SOT89-3应用简介:2SJ356-VB是一种P沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**低功耗开关：**2SJ356-VB适用于低功耗开关应用，例如电源管理模块中的低功耗开关和电源切换。2.**电源分配：**可以用于电源分配单元，帮助控制电路中的电流流动，以实现电源的有效管理。3.**电池保护：**在电池保护电路中，2SJ356-VB可用于电池充电和放电的控制，确保电池的安全运行。4.**信号开关：**可以用于信号开关应用，如模拟信号切换和信号放大器的输入开关。5.**低功耗电子设备：**由于其低静态导通电阻和低功耗，适用于需要节能的低功耗电子设备。2SJ356-VB的特点使其成为用于低功耗开关和电源管理的理想元件。它在低电流和低功耗应用中表现出色，可用于多种便携式和低功耗设备，如手机、平板电脑、传感器和便携式电子设备。