标签: IPD50P04P413VB

型号：IPD50P04P4-13-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-40V-最大连续漏极电流：-65A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，13mΩ@4.5V-门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：-1.6V-封装：TO252应用简介：IPD50P04P4-13-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有极高的电流承受能力和非常低的漏极-源极电阻，适用于多种高性能电子应用领域。应用领域：1.**电源模块**：由于IPD50P04P4-13-VB具有非常低的漏极-源极电阻，它适用于高性能的开关电源、电源管理模块和电池保护电路，能够提供高效的电能转换。2.**电机驱动**：这种MOSFET器件的高电流承受能力使其非常适合用于高功率电机驱动、电机控制和电机保护，可用于工业电机和汽车电机等领域。3.**电池管理**：在电动汽车、电动工具和能源存储系统中，IPD50P04P4-13-VB可用于电池管理系统，确保电池的高效充放电和安全性。4.**功率放大器**：由于具有低电阻和高电流能力，这种MOSFET可用于高性能音响放大器和射频功率放大器。5.**高功率LED驱动**：IPD50P04P4-13-VB适用于高功率LED照明应用，提供高效且可靠的LED驱动。总之，IPD50P04P4-13-VB是一款多功能的高性能电子器件，适用于需要高电流承受能力、低电阻、高效率和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、功率放大器、高功率LED驱动等模块。