标签: Si2343CDST1GE3VB

型号：Si2343CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V，56mΩ@4.5V-门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：-1V-封装：SOT23应用简介：Si2343CDS-T1-GE3-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有适中的电流承受能力和适用于低电压应用的低漏极-源极电阻。这使其在多种电子应用领域中非常有用。应用领域：1.**电源模块**：Si2343CDS-T1-GE3-VB适用于低电压电源管理模块，如电池充放电管理、低电压DC-DC变换器和电源开关。2.**信号开关**：这种MOSFET器件可用于低电压信号开关应用，例如低电压信号切换和电路保护。3.**便携式设备**：Si2343CDS-T1-GE3-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池管理，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。4.**低电压电源**：在低电压应用中，这种MOSFET适用于低电压电源管理、DC-DC变换器和低电压电路。总之，Si2343CDS-T1-GE3-VB是一款多功能的电子器件，适用于需要低电压、适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、便携式设备、低电压电源等模块。