标签: CMD20N06LVB

型号:CMD20N06L-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):28mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):1.8V-封装:TO252应用简介:CMD20N06L-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**CMD20N06L-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。它的高电压容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。2.**电机驱动：**在电机驱动器中，这种N沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制，特别是在需要高电流的应用中。3.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、UPS系统等。4.**电源管理：**可以用于电源管理模块，帮助控制电源的开关和稳定输出电压。5.**电子开关：**适用于各种电子开关应用，如开关电源、电源分配单元和电源管理模块。这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，CMD20N06L-VB的高性能和高电流容忍能力使其成为用于电源管理、电机控制和电流控制的理想元件。它可以在各种高功率应用中实现高效率和可靠性。