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    时间: 2024-2-27 14:04
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    上传者: VBsemi
    型号:NID6002NT4G-VB丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-最大连续漏极电流:18A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门极-源极电压(Vgs):20V(±V)-開啟電壓(门极阈值电压):2V-封装:TO252应用简介:NID6002NT4G-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有适中电流承受能力和低漏极-源极电阻,适用于多种电子应用领域。应用领域:1.**电源模块**:NID6002NT4G-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保护电路,有助于提高电能转换效率,特别适用于低电压电源管理。2.**电机驱动**:这种MOSFET器件的适中电流承受能力和低电阻使其非常适合用于电机驱动器、电机控制和电机保护,可用于各种电机应用。3.**电池管理**:在电动汽车、电动工具和便携式设备中,NID6002NT4G-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护,尤其在需要低电压的应用中。4.**电源开关**:这种MOSFET可用于低电压和低电流的开关电路,如电源开关和电源逆变器。5.**便携式设备**:NID6002NT4G-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池管理,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。总之,NID6002NT4G-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、电源开关、便携式设备等模块。