标签: FDC6401NVB

型号:FDC6401N-VB丝印:VB3222品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4.8A-静态导通电阻(RDS(ON)):22mΩ@4.5V-静态导通电阻(RDS(ON)):28mΩ@2.5V-门源电压(Vgs):±12V-阈值电压(Vth):1.2V至2.2V-封装:SOT23-6应用简介:FDC6401N-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，具有两个N沟道晶体管集成在一个封装内，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**FDC6401N-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。其双N沟道设计适合各种开关应用。2.**电子开关：**适用于各种电子开关应用，如开关电源、电源分配单元、电源管理模块等。3.**电流控制：**可以用于电流控制电路，例如电流限制器和电流源。4.**电源管理：**在电源管理模块中，FDC6401N-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压。5.**负载切换：**可以用于负载切换器，帮助控制负载的连接和断开。6.**电池保护：**在锂电池保护电路中，FDC6401N-VB可用于实现电池的充电和放电控制，确保电池的安全运行。这些应用领域涵盖了各种电子设备和模块，FDC6401N-VB的双N沟道设计使其成为用于控制电流和电压的重要元件，特别是在电源管理和电流控制方面。其高性能和集成设计有助于简化电路设计和减小封装尺寸。