标签: 2N7002WT1GVB

型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：0.35A-导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ@10V,2160mΩ@4.5V,20Vgs-阈值电压（Vth）：1~2.5V-封装：SC70-3应用简介：2N7002WT1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要低功率开关、信号放大和电流控制的应用。**应用领域和模块说明：**1.**低功率开关模块**：  -由于其N沟道MOSFET的特性，2N7002WT1G-VB适用于低功率开关模块，可用于控制低电压和低电流的开关操作。  -在便携式电子设备、电源管理模块、小型电子开关中广泛使用。2.**信号放大模块**：  -该MOSFET可用于信号放大模块，用于放大和控制小信号的传输。  -在音频放大器、传感器接口、信号调理电路中用于信号处理。3.**电流控制模块**：  -2N7002WT1G-VB的特性使其适用于电流控制应用，可用于调整和限制电流流动。  -在恒流源、电流调节电路、电流控制开关中用于精确的电流控制。4.**模拟开关模块**：  -该MOSFET可用于模拟开关模块，用于开关模拟信号。  -在模拟电路切换、模拟信号选择和模拟电路开关中广泛应用。总结，2N7002WT1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种低功率、信号处理和电流控制应用。其特性使其成为低功率电子设备、信号放大器、电流控制模块和模拟开关模块中的重要组件，有助于实现精确的电路控制和信号处理。