标签: DMG2301U7VB

型号：DMG2301U-7-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门极-源极电压（Vgs）：12V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：-0.81V-封装：SOT23应用简介：DMG2301U-7-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有适中电流承受能力和低漏极-源极电阻，适用于多种电子应用领域。应用领域：1.**电源模块**：DMG2301U-7-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保护电路，有助于提高电能转换效率，特别适用于低电压电源管理。2.**电池管理**：在便携式设备、电动工具和嵌入式系统中，DMG2301U-7-VB可用于电池保护和管理，确保电池的安全充放电和保护。3.**信号开关**：这种MOSFET器件可用于信号开关、模拟开关和低功耗电路中，用于控制电路的开关和信号传输。4.**便携式设备**：DMG2301U-7-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池保护，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。5.**低功耗电子**：由于其低漏极-源极电阻和低门极阈值电压，这种MOSFET器件可用于低功耗电子应用，如传感器接口、小型控制器和嵌入式系统。总之，DMG2301U-7-VB是一款多功能的电子器件，适用于需要适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电池保护、信号开关、便携式设备和低功耗电子等模块。