标签: IPD036N04LVB

型号：IPD036N04L-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：40V-最大电流：85A-开态电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：1.85V-封装：TO252应用简介：IPD036N04L-VB是一款高性能N沟道MOSFET，适用于需要高电流承受能力和低开态电阻的高功率应用。这款MOSFET可用于电源开关、电机控制、电池保护和其他需要高性能的电路。主要特点和应用领域：1.**电源开关**：IPD036N04L-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其高电流承受能力和低开态电阻使其适用于高功率电源。2.**电机控制**：在电机驱动器和控制系统中，这款MOSFET可用于电机控制，例如直流电机、步进电机和电动汽车电机控制。3.**电池保护**：在电池管理系统中，IPD036N04L-VB可以用于电池充放电控制、保护和平衡，确保电池组的安全运行。4.**高功率应用**：由于其高电流承受能力和低开态电阻，该MOSFET适用于需要高性能和高功率的电路设计。5.**电流开关**：这款MOSFET可用于电流开关应用，例如电流限制和保护电路。总之，IPD036N04L-VB适用于多个领域，包括电源开关、电机控制、电池保护、高功率应用和电流开关等模块。其N沟道特性和高电流承受能力等特性使其成为处理高电流和高功率应用的理想选择，同时也可用于各种需要高性能N沟道MOSFET的电路设计。