标签: NCE0103MVB

型号：NCE0103M-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：3.1A-静态开启电阻（RDS(ON)）：126mΩ@10V,139mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：20V（±V）-阈值电压（Vth）：1.7V-封装类型：SOT89-3应用简介：NCE0103M-VB是一款N沟道MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和低电压电源应用。2.**电池保护模块**：在需要保护电池免受过放电和过充电的应用中，NCE0103M-VB可用于电池保护电路，确保电池的安全运行。3.**DC-DC变换器**：在需要高效的DC-DC变换器中，这款MOSFET可用于帮助实现电压升降和电能转换。它适用于便携式设备、通信设备和工业应用。4.**电机驱动模块**：NCE0103M-VB可用于电机驱动和控制模块，包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。5.**电流控制模块**：在需要高性能电流控制的应用中，这款MOSFET可以用于电流传感器和电流放大器模块。NCE0103M-VB具有N沟道，适用于需要N沟道MOSFET的应用，以实现高性能功率开关。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。