标签: STN442DVB

型号：STN442D-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，适用于电流在N沟道中流动的应用。-**工作电压（VDS）：**60V，表示MOSFET的耐压上限，可用于需要较高电压的电路。-**持续电流（ID）：**45A，表示MOSFET可以承受的最大电流。-**导通电阻（RDS(ON))：**24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**1.8V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。-**封装：**TO252，这是MOSFET的封装类型。应用简介：这种型号的N沟道MOSFET通常用于各种领域的功率电子应用，包括但不限于：1.**电源模块：**可以用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器，以提高能源效率。2.**电机驱动器：**用于电机控制、电动车辆和工业自动化中，以实现电机的高效控制。3.**照明应用：**可以用于LED驱动电路、照明系统和调光应用。4.**电池管理：**用于电池保护电路、充放电控制和电池管理系统。5.**电子负载：**用于模拟或数字电子负载，测试电源供应器的性能。6.**太阳能逆变器：**用于太阳能发电系统中，将太阳能电池板的直流电转换为交流电。这种型号的MOSFET在高电压和高电流应用中具有优异的性能，可用于多种功率电子领域，以提高效率和性能。