标签: NTF3055L108T1GVB

型号：NTF3055L108T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：4A-开通态电阻：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：1.53V封装：SOT223该型号的NTF3055L108T1G-VB是一种N沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：**详细参数说明：**-最大耐压：60V，表示它可以承受不超过60伏的电压。-最大电流：4A，该MOSFET可以承受最高4安培的电流。-开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为76毫欧姆（@10V）和85毫欧姆（@4.5V）。这表明它在导通状态下有相对较低的电阻。-阈值电压：1.53V，表示MOSFET在此电压下开始导通。**应用简介：**这种MOSFET（NTF3055L108T1G-VB）适用于多个领域的电路模块，主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域：1.**电源管理模块：**用于开关电源、稳压电路和电源开关，有助于实现高效的能源管理。2.**驱动模块：**作为电机驱动器或其他电子设备的开关，用于电流控制和电源管理。3.**电源逆变器：**在逆变器中，它可以用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。4.**LED照明控制：**用于控制LED照明系统的亮度和开关，实现节能和亮度调节。总之，NTF3055L108T1G-VB是一种多功能的N沟道MOSFET，适用于多种电子应用领域，主要用于电流控制和电源管理。