标签: NTGS3136PT1GVB

型号：NTGS3136PT1G-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压（Vth）：-1Vto-3V-封装：SOT23-6应用简介：NTGS3136PT1G-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于多种低功率电子应用。它具有较低的导通电阻和适度的耐压特性，适合用于低功耗设备和控制电路。领域模块应用：1.低功率电源模块：NTGS3136PT1G-VB可用于低功耗设备的电源管理，如便携式电子设备、传感器节点等。2.信号开关：适用于开关信号和控制电路，如信号开关、多路复用器等应用。3.低功耗模块：在需要较低功耗的模块中，如待机模式、电池供电设备，可起到关键作用。这些特性使NTGS3136PT1G-VB在低功率电子领域中有广泛的应用。