标签: SI2314DST1E3VB

型号：SI2314DS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VDS）：**20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。-**持续电流（ID）：**6A，表示MOSFET可以承受的最大电流。-**导通电阻（RDS(ON))：**24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**0.45~1V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。-**封装：**SOT23，这是一种小型表面贴装封装。应用简介：N沟道MOSFET在多种领域中得到广泛应用，包括但不限于：1.**电源开关：**用于电源开关电路，包括移动设备、笔记本电脑和其他电子产品中的DC-DC转换器。2.**电池保护：**用于电池保护电路，以控制电池充电和放电，防止过电流和过压。3.**电机控制：**用于小型电机控制，例如电动工具、风扇、和模型汽车。4.**LED驱动：**用于LED照明应用，以提供精确的LED灯光控制。5.**移动设备：**在手机、平板电脑和便携式电子设备中，用于电源管理和电池保护。6.**电子模块：**用于各种类型的电子模块，以实现电源开关和电流控制。这种N沟道MOSFET适用于低电压和低功率应用，通常用于便携式电子设备和小型电子电路中，以提供高效的电流控制和电源管理。