标签: 25P03LGVB

型号：25P03LG-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-26A-静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压（Vth）：-1.3V-封装：TO252应用简介：25P03LG-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于多种功率控制和开关电路应用。其低导通电阻和耐压特性使其适用于高功率电子系统。领域模块应用：1.电源管理模块：25P03LG-VB可用于高功率开关电源、稳压器等电源管理模块，以提供有效的功率控制。2.电机驱动模块：在电机控制和驱动电路中，这种晶体管可用于提供电机所需的高电流。3.高功率开关模块：适用于高功率开关模块，如电焊设备、高功率LED驱动器等。这些特性使25P03LG-VB在高功率电子系统中具有广泛的应用。