标签: SUD50P0413LGE3VB

型号：SUD50P04-13L-GE3-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：-1.6V封装：TO252该型号的SUD50P04-13L-GE3-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：**详细参数说明：**-最大耐压：-40V，表示它可以承受不超过40伏的电压。-最大电流：-65A，该MOSFET可以承受最高65安培的电流。-开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为10毫欧姆（@10V）和13毫欧姆（@4.5V）。这表明它在导通状态下有极低的电阻。-阈值电压：-1.6V，表示MOSFET在此电压下开始导通。**应用简介：**这种MOSFET（SUD50P04-13L-GE3-VB）适用于多个领域的电路模块，主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域：1.**电源管理模块：**用于开关电源、稳压电路和电源开关，有助于实现高效的能源管理。2.**电机控制：**作为电机驱动器或电机控制模块的一部分，用于电流控制和电压开关。3.**电源逆变器：**在逆变器中，它可以用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。4.**电源开关和保护：**用于电源开关、短路保护和过流保护电路。总之，SUD50P04-13L-GE3-VB是一种多功能的P沟道MOSFET，适用于多种电子应用领域，主要用于电流控制和电源管理。