标签: NTF3055100T1GVB

型号：NTF3055-100T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：4A-RDS(ON)：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范围：±20V-阈值电压（Vth）：1.53V-封装：SOT223应用简介：NTF3055-100T1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于低电压和低功率应用。它具有适中的电压额定值和电流承受能力，适合多种低功率电子设备。应用领域：1.**电源管理模块**：NTF3055-100T1G-VB可用于低功率电源管理模块，以实现电源开关和电池保护。2.**便携式电子设备**：在便携式电子设备中，如小型消费电子设备和无线传感器，它可用于电源管理和电源开关。3.**LED照明**：在低功率LED照明应用中，它可以用于LED驱动电路，控制LED亮度。4.**自动控制系统**：可用于低功率自动控制系统，如传感器控制、自动门开关等。总之，NTF3055-100T1G-VB适用于低功率和低电压的多种应用，包括电源管理、便携式电子设备、LED照明和自动控制系统等领域。