标签: CES2301VB

型号：CES2301-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-**P沟道：**该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VDS）：**-20V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。-**持续电流（ID）：**-4A，表示MOSFET可以承受的最大电流。负值表示电流方向与N沟道MOSFET相反。-**导通电阻（RDS(ON))：**57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**-0.81V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。负值表示电压极性相反。-**封装：**SOT23，这是一种小型表面贴装封装。应用简介：P沟道MOSFET通常用于多种功率电子应用，包括但不限于：1.**电源开关：**用于电源开关电路，包括移动设备、笔记本电脑和其他电子产品中的DC-DC转换器。2.**电池保护：**用于电池保护电路，以防止电池充电或放电时的电流过大。3.**电源逆变器：**用于逆变器应用，将直流电转换为交流电，通常在太阳能逆变器和UPS系统中使用。4.**电机驱动：**用于电机控制应用，包括电机驱动器和电动车辆控制。5.**LED驱动器：**用于LED照明应用，以实现高效的LED灯光控制。这种P沟道MOSFET适用于需要P沟道器件的电子电路，它能够提供可靠的电流控制和开关性能，通常用于功率电子领域以提高效率和性能。