标签: AP2306GNVB

型号：AP2306GN丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：20V-最大电流：6A-导通电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：8Vgs(±V)-门阈电压：0.45~1Vth-封装：SOT23应用简介：AP2306GN是一款N沟道MOSFET，适用于低电压和中等电流的应用。其最大耐压为20V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于低电压电源开关和电池管理系统等。2.照明模块：可用于LED驱动和照明控制。3.手持设备：适用于手机、平板电脑等手持设备中的负载开关和电源控制。总之，AP2306GN适用于低电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和手持设备等。