标签: IRFR3410TRPBFVB

详细参数说明：-型号：IRFR3410TRPBF-VB-丝印：VBE1104N-品牌：VBsemi-类型：N沟道-最大电压（Vds）：100V-最大电流（Id）：40A-开态电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,31mΩ@4.5V-阈值电压（Vth）：1.8V-封装：TO252应用简介：IRFR3410TRPBF-VB是一款功耗型N沟道MOSFET。它适用于各种需要高电压和高电流的应用，具有低开态电阻和较低的阈值电压。因此，它特别适合用于功率放大器、开关电源、电机驱动器和充电器等领域。该产品在以下领域模块中广泛应用：1.功率放大器：IRFR3410TRPBF-VB可以用于设计音频放大器、射频放大器和其他需求功率放大的模块。2.开关电源：IRFR3410TRPBF-VB在开关电源中可以用作功率开关和控制元件。它可以实现高效率和高性能的开关电源设计。3.电机驱动器：IRFR3410TRPBF-VB可以用于设计电动汽车、机器人和其他工业应用中的电机驱动器，以实现高效能和精确控制。4.充电器：IRFR3410TRPBF-VB可以用于设计各种类型的充电器，包括移动设备充电器、电动汽车充电器和电池充电器等。总结：IRFR3410TRPBF-VB是一款功能强大的N沟道MOSFET，具有高电压和高电流承受能力、低开态电阻和较低的阈值电压。它可以广泛应用于功率放大器、开关电源、电机驱动器和充电器等领域模块中。