标签: AP4407GMVB

型号：AP4407GM-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：1.P沟道2.最大承受电压：-30V3.最大工作电流：-11A4.开阻抗：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V5.门源漏电压：20Vgs(±V)6.阈值电压：-1.42Vth(V)7.封装：SOP8应用简介：AP4407GM-VB是一款适用于P沟道的功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备的功率开关和驱动控制电路中。其优异的特性使其可在低电压和大电流的环境下稳定工作，并能提供低导通电阻。产品应用领域：AP4407GM-VB常被应用在以下领域的模块上：1.电源模块：用于电源开关控制和功率变换。2.车载电子：用于车辆电子系统的功率开关和电机控制。3.工业自动化：用于工控设备和传感器的驱动控制。4.照明领域：用于LED照明驱动器和照明系统的控制。5.通信模块：用于通信设备的电源开关和功率控制。总之，AP4407GM-VB是一款高性能的P沟道功率MOSFET，适用于多种领域的电子设备模块中，常用于功率开关和驱动控制电路。