标签: SI6913DQT1GE3VB

型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源极电压范围：±20V-阈值电压：1~3V-封装类型：TSSOP8应用简介：SI6913DQ-T1-GE3-VB是一款P沟道功率MOSFET，适用于各种电路模块中的功率开关和电路控制应用。由于其低导通电阻和低阈值电压，使其特别适用于需要在低电压和高电流条件下工作的应用。具体应用领域模块如下：1.电源模块：SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源模块中的功率开关，用于控制电源的开关和调节功率的大小。2.电动工具模块：在电动工具中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器，控制电动工具的功率输出和运行状态。3.LED照明模块：SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作LED照明模块中的开关器，控制LED的亮度和开关。4.电动车辆模块：在电动车辆中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器，控制电动车辆的动力输出和控制。5.手持设备模块：在手持设备中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源管理模块，控制电池的供电和功耗管理。总之，SI6913DQ-T1-GE3-VB适用于各种需要功率开关和电路控制的应用中，特别适用于低电压和高电流条件下的模块。