标签: DMG3415U7FVB

型号：DMG3415U-7-F-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定工作电压：-30V-额定工作电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压范围：±20Vgs-阈值电压：-1Vth-封装形式：SOT23详细参数说明：DMG3415U-7-F-VB是一种P沟道MOSFET，其额定工作电压为-30V，额定工作电流为-5.6A。该器件的导通电阻为47mΩ@10V和56mΩ@4.5V时分别对应两种不同的工作电压。其门源电压范围为±20Vgs，阈值电压为-1Vth。该器件采用SOT23封装形式。应用简介：DMG3415U-7-F-VB适用于多个领域的模块和应用。由于其能够承受高电流和较高的工作电压，使其适用于需要高功率驱动的应用。以下是一些可能的应用领域：1.电源模块：DMG3415U-7-F-VB可用于电源模块中的开关电源设计，用于电压转换和电流管理。2.电机驱动模块：该器件适用于电机驱动模块，例如直流电机驱动器或步进电机驱动器。3.照明模块：由于该器件能够承受较高的电流和工作电压，因此可用于LED照明驱动模块。4.工业控制模块：DMG3415U-7-F-VB可用于工业控制模块，如PLC（可编程逻辑控制器）或工业自动化设备。5.电池管理模块：该器件适用于电池管理模块，用于控制电池充放电和保护功能。总结：DMG3415U-7-F-VB是一款P沟道MOSFET器件，适用于多个领域的模块和应用。它具有承受较高电流和工作电压的特性，适用于需要高功率驱动的应用。常见的应用领域包括电源模块、电机驱动模块、照明模块、工业控制模块和电池管理模块等。