标签: IPD036N04LGVB

参数说明：-型号：IPD036N04LG-VB-丝印：VBE1405-品牌：VBsemi-N沟道-最大额定电压：40V-最大额定电流：85A-RDS(ON)：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs（-V）-门阈电压：1.85V-封装类型：TO252应用简介：IPD036N04LG-VB适用于许多领域的需求，如电源管理、电机驱动和逆变器等。领域模块应用：1.电源管理领域：该器件可用作电源管理模块中的电源开关，用于控制电源的开关和调节。2.电机驱动领域：IPD036N04LG-VB可用于电机驱动模块中，用于控制电机的转速和方向。3.逆变器领域：在逆变器模块中，IPD036N04LG-VB可用于控制电源的变换和调节，用于转换直流电源为交流电源。总结：IPD036N04LG-VB是一款N沟道MOSFET器件，适用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域的模块中。其特点包括较高额定电流和低导通电阻，在相关领域的应用中提供可靠且高效的性能。