标签: STN3PF06VB

型号：STN3PF06-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-P沟道--60V--6.5A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-20Vgs(±V)--1~-3Vth(V)-封装：SOT223详细参数说明：-P沟道：表示这是一款P沟道MOSFET，常用于负载驱动和开关电路等应用。--60V：表示最大耐压为-60V，即在工作时，电压不可超过-60V。--6.5A：表示最大漏极电流为-6.5A，即在工作时，漏极电流不可超过-6.5A。-RDS(ON)：表示导通状态下的内阻。在10V的电压下为58mΩ，在4.5V的电压下为70mΩ。-20Vgs(±V)：表示最大的栅极源极电压，即在工作时，栅极源极电压不可超过20V。--1~-3Vth(V)：表示阈值电压范围，在-1V到-3V之间。应用简介：这款STN3PF06-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负载驱动和开关电路等应用。由于其能够承受较高的耐压和漏极电流，因此适合用于需要高功率和高频率的应用。这些产品适用的领域模块：这些产品可以广泛用于各种领域的模块设计中，其中包括但不限于以下领域：1.电源模块：用于电源开关和功率控制电路。2.电动工具：用于电动工具的控制电路，例如电动钻、电锤等。3.照明：用于LED驱动电路和照明控制。4.汽车电子：用于汽车电子模块，如发动机控制单元、照明控制等。5.工业自动化：用于各种工业自动化设备的控制电路。6.通信设备：用于通信设备的功率放大和开关电路。总之，STN3PF06-VB这款P沟道MOSFET适用于多种应用领域的模块设计，特别适合需要承受较高耐压和漏极电流的高功率和高频率应用。