标签: IRFR1018ETRPBFVB

型号：IRFR1018ETRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大漏电流：60A-静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压（Vth）：1.87V-封装：TO252应用简介：IRFR1018ETRPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于高功率电子应用。它具有低导通电阻和耐压特性，适用于要求高电流和高功率的电子系统。领域模块应用：1.电源开关模块：IRFR1018ETRPBF-VB可用于电源开关应用，如高功率电源开关和电源转换器。2.电机驱动器：在高功率电机驱动应用中，它能够提供所需的高电流和高效率。3.高功率放大器：适用于音频放大器、RF放大器等高功率放大器模块。这些特性使IRFR1018ETRPBF-VB在高功率电子系统中有广泛的应用。