标签: HAT1024RVB

型号：HAT1024R-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-**双P沟道：**该器件包含两个P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VDS）：**-30V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。-**持续电流（ID）：**-7A，表示MOSFET可以承受的最大电流。负值表示电流方向与N沟道MOSFET相反。-**导通电阻（RDS(ON))：**35mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**-1.5V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。负值表示电压极性相反。-**封装：**SOP8，这是一种小型表面贴装封装，适用于紧凑的电路设计。应用简介：这种双P沟道MOSFET适用于多种功率电子应用，包括但不限于：1.**电源开关：**用于电源开关电路，包括DC-DC转换器、电源管理单元和电源供应器，以控制电流和电压。2.**电池保护：**用于电池保护电路，以控制电池充电和放电，防止过电流和过压。3.**电源逆变器：**用于逆变器应用，将直流电转换为交流电，通常在太阳能逆变器和UPS系统中使用。4.**电机控制：**用于电机控制应用，包括电机驱动器和电动车辆控制。5.**LED驱动器：**用于LED照明应用，以实现高效的LED灯光控制。这种双P沟道MOSFET适用于需要P沟道器件的电子电路，提供可靠的电流控制和开关性能，通常用于功率电子领域以提高效率和性能。