标签: SI2314EDST1E3VB

型号：SI2314EDS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：20V-最大漏电流：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压（Vth）：0.45Vto1V-封装：SOT23应用简介：SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于低功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于小型电子系统。领域模块应用：1.电源开关模块：SI2314EDS-T1-E3-VB可用于低功率电源开关应用，如便携式电子设备和电池供电设备。2.信号开关：适用于低功率信号开关和控制电路，如小型开关电路和信号切换器。3.低功耗模块：在需要低功耗的模块中，如传感器节点、小型控制器，可发挥作用。这些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率电子应用中有广泛的应用。