标签: IRF9Z24NSTRLPBFVB

型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth(V)封装：TO263该型号的IRF9Z24NSTRLPBF-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：**详细参数说明：**-最大耐压：-60V，表示它可以承受不超过60伏的电压。-最大电流：-30A，该MOSFET可以承受最高30安培的电流。-开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为58毫欧姆（@10V）和70毫欧姆（@4.5V）。这表明它在导通状态下有相对较低的电阻。-阈值电压：-1至-3V，表示MOSFET在此范围内的电压下开始导通。**应用简介：**这种MOSFET（IRF9Z24NSTRLPBF-VB）适用于多个领域的电路模块，主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域：1.**电源管理模块：**用于开关电源、稳压电路和电源开关，有助于实现高效的能源管理。2.**电机控制：**作为电机驱动器或电机控制模块的一部分，用于电流控制和电压开关。3.**电源逆变器：**在逆变器中，它可以用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。4.**电源开关和保护：**用于电源开关、短路保护和过流保护电路。总之，IRF9Z24NSTRLPBF-VB是一种多功能的P沟道MOSFET，适用于多种电子应用领域，主要用于电流控制和电源管理。