标签: TPH4R50ANH1

TPH4R50ANH1MOSFET拥有多个关键特性，使其在高效DC-DC转换器、开关电压调节器和电机驱动器中备受青睐：高速切换：TPH4R50ANH1的一大亮点就是其高速切换能力。这对于减少切换过程中的能量损耗至关重要，从而提高整个系统的效率。其典型门电荷(QSW)为22nC，输出电荷(Qoss)为79nC，确保最小的切换损耗，进而有助于更好的热管理，并减少冷却需求。低导通电阻(RDS(ON))：TPH4R50ANH1的导通电阻在VGS=10V时仅为3.7mΩ（典型值）。在需要最大限度降低导通损耗的应用中，这种低RDS(ON)是关键。在电源应用中，每一毫欧的阻抗都可能转化为显著的功率节约，使这款MOSFET成为节能设计的理想选择。低漏电流：TPH4R50ANH1的漏电流(IDSS)最大值仅为10µA（在VDS=100V时），确保在待机或低功耗状态下的最小能量浪费。此特性对电池供电设备或对功耗要求极高的系统尤为重要。增强的热管理：MOSFET的热性能往往是高功率应用中的限制因素。TPH4R50ANH1的最大结壳热阻(Rth(ch-c))为0.71°C/W，即使在严苛的条件下也能有效散热。再加上在Tc=25°C时高达170W的功耗评级，使得这款MOSFET能在高功率环境中可靠运行。