标签: TPH3R704PC

TPH3R704PCMOSFET提供了一系列优异的特性，这些特性使其具备高效和可靠的性能：高速开关：该MOSFET专为高速开关应用而设计，非常适合需要快速开关过渡的电路。其快速开关能力有助于最大限度地减少功耗，这对于对电源敏感的应用（如DC-DC转换器）至关重要。低漏源导通电阻(RDS(ON))：TPH3R704PC的典型导通电阻仅为2.9mΩ（VGS=10V）。较低的电阻意味着在导通期间能量损失更少，使得该MOSFET在电源敏感型应用中表现出色。低导通电阻是设计高效电源管理系统时的一个关键性能指标。低输出和栅极电荷：TPH3R704PC的典型输出电荷(Qoss)为28nC，栅极开关电荷(QSW)为14nC。这确保了在开关过程中最小的延迟和能量损失。低栅极电荷允许较低的驱动功耗，这在节能设计中非常重要。高漏极电流：该MOSFET能够处理高达82A的连续漏极电流（Tc=25°C），使其适用于高电流应用，如电机驱动器和高效DC-DC转换器。高电流能力确保了在严苛环境下的可靠性能。增强型模式工作：TPH3R704PC在增强模式下工作，其栅极阈值电压(Vth)范围为1.4V至2.4V。这一范围确保了稳定的操作，当未达到足够高的电压时，MOSFET保持关闭状态，从而减少泄漏和待机时的功耗。热管理：该器件具有优异的热特性，其通道到壳体的热阻仅为1.66°C/W，确保在操作过程中高效散热。良好的热性能对于高功率应用中的长期可靠性至关重要。