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不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。 解决的办法是，将上桥臂的 驱动电路 悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将 自举电路 中 电容器 在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的 正向压降 约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。 不用 自举电路 是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110. 低边MOS管的Vgs是以COM为参考点可以由控制回路的电压驱动就满足要求了，不需要再自举。 在控制回路电压与电源电压相等或接近的情况下，“将VS接地”上半桥MOS管可以导通，但不能饱和导通。因为上半桥MOS管一饱和导通，其S极的电压就与D极的电压接近，约等于最高的电源电压，G与S之间就没有要求的10V左右的电压了，MOS管就失去了饱和导通的条件。