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时间: 2020-1-13 18:32
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过孔附加电容的计算过孔附加电容的计算赵吉祥毛军发上海交通大学电子工程系邮编200030摘要基于DDMCM理论获得了过孔附加电容的解析式并同已发表的文献作了比较结果比较合理关键词过孔的附加电容DDMCM理论1引言随着电子技术的不断发展以及亚微米和深亚微米工艺在集成电路设计中的使用芯片的集成度变的愈来愈高这种密度的提高不仅体现在平面上同时也体现在体积上在这样的高密度芯片中层于层之间的联系主要是通过过孔来连接的密度的增加用的过孔就多同时由于芯片中信号速度的提高那么过孔的附加电容和电感就不能忽略在分析芯片的电特性时就必须考虑人们对过孔的研究已经有不少的工作[1]-[3]然而在等效电路的参数中以前的工作只给出了电感的解析表达式而电容只能以数值方法来计算得到这是不方便的为此在本文中我们用DDMCM(theDomainDecompositionMethodforConformalModules)方法来获得电容的解析表达式并且同以前文献中的结果进行比较显示我们的结果还是比较正确简洁的2用DDM-CM完成附加电容的提取考虑自由空间中的过孔其结构如图1所示两传输线的长度分别为l1和l2于接地板它们的高度分别为h1和h2并且假定l1=l2=l图就变换成了图2宽度为w相对为了简化分析不失一般性我们假定导体的厚度为0CM理论假定介质是均匀的考虑四边形Q:={Z1Z2Z3Z4}应用DDM它的保角模为[4]m(Q)=l1l2++h1h23151wZ1l1l2h1Z2Z4viah2Z3图1过孔的结构及参数l1+l……