tag 标签: 附加

相关博文
  • 热度 30
    2012-6-19 10:37
    1579 次阅读|
    0 个评论
    大家好,前面我们为大家分享了WIZnet员工的SQL Server 2008 培训笔记的前五篇,今天继续为大家分享第六篇。 WIZnet员工SQL Server 2008培训笔记(五)请参考: http://forum.eet-cn.com/BLOG_ARTICLE_12595.HTM       在数据表导入数据库之后,为了防止用户误改、误删数据等一系列操作破坏了数据源的完整性和正确性,或者我们希望将一台电脑的数据库文件移植到另一台电脑的数据库中。我们就需要对生成数据库备份文件 (*.bak) 或者备份源数据库文件 (*.mdf) ,来确保数据库的正确性和完整性。 1. 通过备份文件还原 选中你要备份的数据库,单击右键 - 任务 - 备份,如下图所示。     显示如下对话框,数据库选项可以选择你想备份的数据库,备份集选项可以设置你备份文件的名称。       单击确定按钮,弹出备份文件成功对话框,则说明备份成功。       备份文件默认保存在 C:\ProgramFiles\Microsoft SQL Server\MSSQL10_50.MSSQLSERVER\MSSQL\Backup\ 目录下(这里以 SQLServer 2008 默认安装为例),而在实际开发过程中,我们往往需要根据数据库本身的用途将数据库文件及其日志文件保存在硬盘的其它位置以方便管理。因此,我们可以通过单击“添加”按钮,会弹出如下的对话框。       设置备份文件名和文件路径,在目标字段就会添加你想备份文件的信息,单击“确定”按钮备份文件成功。   备份完成后,我们可以通过备份文件按需要对数据库进行还原。如下图,右击数据库,选择还原数据库。         弹出如下的对话框,在“目标数据库”中输入数据库名称,选择“源数据库”为备份的数据库,默认设置情况下单击确定,即可还原完整的数据库信息(也可以通过选项设置修改备份数据库的位置等其他基本信息)。       至此,通过备份文件还原数据库的方法就介绍完了。   2. 我们也可以通过数据库文件来添加和还原数据库,如下所示,右击数据库,选择附加。     在弹出的对话框中单击“添加”按钮,选择创建数据库时生成的文件(*.mdf),默认设置下单击确定即可完成数据库的还原。    
相关资源
  • 所需E币: 0
    时间: 2023-3-12 22:22
    大小: 880.25KB
    上传者: Argent
    无需附加传感器的升压PFC变换器输入功率估算可行性与准确性分析
  • 所需E币: 0
    时间: 2022-10-25 17:06
    大小: 11.88KB
    上传者: samewell
    STM32循迹小车详细制作过程(附加代码).zip
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-11-12 21:41
    大小: 3.02MB
    上传者: czd886
    采用附加电源的均衡电路与容量自均衡方法
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-11-12 22:55
    大小: 1.23MB
    上传者: czd886
    输电线路附加融冰电源的最佳频率及电压确定方法
  • 所需E币: 1
    时间: 2020-6-11 21:41
    大小: 2.75MB
    上传者: 指的是在下
    附加系统参数的多时相InSAR时空建模和形变估计
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-13 18:32
    大小: 23.07KB
    上传者: 二不过三
    过孔附加电容的计算过孔附加电容的计算赵吉祥毛军发上海交通大学电子工程系邮编200030摘要基于DDMCM理论获得了过孔附加电容的解析式并同已发表的文献作了比较结果比较合理关键词过孔的附加电容DDMCM理论1引言随着电子技术的不断发展以及亚微米和深亚微米工艺在集成电路设计中的使用芯片的集成度变的愈来愈高这种密度的提高不仅体现在平面上同时也体现在体积上在这样的高密度芯片中层于层之间的联系主要是通过过孔来连接的密度的增加用的过孔就多同时由于芯片中信号速度的提高那么过孔的附加电容和电感就不能忽略在分析芯片的电特性时就必须考虑人们对过孔的研究已经有不少的工作[1]-[3]然而在等效电路的参数中以前的工作只给出了电感的解析表达式而电容只能以数值方法来计算得到这是不方便的为此在本文中我们用DDMCM(theDomainDecompositionMethodforConformalModules)方法来获得电容的解析表达式并且同以前文献中的结果进行比较显示我们的结果还是比较正确简洁的2用DDM-CM完成附加电容的提取考虑自由空间中的过孔其结构如图1所示两传输线的长度分别为l1和l2于接地板它们的高度分别为h1和h2并且假定l1=l2=l图就变换成了图2宽度为w相对为了简化分析不失一般性我们假定导体的厚度为0CM理论假定介质是均匀的考虑四边形Q:={Z1Z2Z3Z4}应用DDM它的保角模为[4]m(Q)=l1l2++h1h23151wZ1l1l2h1Z2Z4viah2Z3图1过孔的结构及参数l1+l……