标签: 带隙基准

基于tsmc0.25μmCMOS工艺，设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题，通过引入额外的PTAT电流来改变流过PNP的电流，进而补偿由于工艺角变化引起的带隙基准温度系数的改变，实现低温漂基准电压源。仿真结果表明，5V电源电压下，在-50~+150℃，基准电压温度系数为3ppm/℃，与无数字修调的带隙基准相比，温度系数减小了5ppm/℃。低频时电源抑制比为-90dB，整体功耗电流约为60μA。

文中介绍了一种低压差线性稳压器电路，为使芯片安全、可靠工作在此低压差线性稳压器结构上增加过流、过压保护电路。本电路使用TSMC0.25umCMOS工艺设计，在CadenceSpectre仿真环境下的仿真结果表明过压保护阈值为4.728V，过压恢复阈值为4.536V，过流保护电路在电流大于2A时起作用。