标签: 选型

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A. PSOC™ 4000T MCU：这可能是指一个具有4000个逻辑单元的PSOC（可编程片上系统芯片），通常用于控制应用。 B. PSOC™ 4/6 MCU：这可能是指一个PSOC，它有4或6个逻辑单元，用于更复杂的控制任务。 C. XMC 1000/4000：这可能是指XMC系列的MCU，具有1000或4000个逻辑单元，通常用于高级控制应用。 D. PSOC™ Control C3 MCU：这可能是指一个专门用于控制任务的PSOC，可能具有特定的控制功能或特性。 哪个最贵？最好？ 在没有具体的价格信息和性能指标的情况下，很难直接判断哪个微控制器（MCU）最贵或最好。价格和性能通常取决于MCU的功能、处理能力、内存大小、集成的外设、通信接口、功耗、支持的软件工具链和生态系统等因素。 一般来说，具有更多逻辑单元、更高性能处理能力或针对特定应用优化的MCU可能会更贵。例如，如果一个MCU具有更多的逻辑单元、更高的处理速度、更大的内存或集成了更多高级功能，它可能会比具有较少逻辑单元或基本功能的MCU更贵。 至于哪个最好，这取决于你的具体需求和应用场景。例如，如果你的应用需要高性能处理和复杂的控制逻辑，可能选择具有更多逻辑单元或更高性能处理能力的MCU（如选项C）会是更好的选择。如果你的应用需要特定的控制功能或优化，可能选择专门用于控制任务的MCU（如选项D）是更好的选择。 在没有更多信息的情况下，建议查看每个MCU的技术规格书，比较它们的性能、特性和价格，以确定哪个最适合你的应用。此外，考虑供应商的支持和社区反馈也是选择MCU时的重要因素。如果你需要进一步的帮助来确定哪个MCU最适合你的项目，可能需要考虑咨询专业的电子工程师或技术社区。

数字源表也称为源测量单元 (SMU), 集数字万用表、电压源、电流源、电子负载以及脉冲发生器、波形发生器等功能于一体，同时可精确限流保护器件不受损坏。在功率半导体测试，光电子器件研究、晶体管检定等方面被广泛应用，可以简化测试系统，提高测试效率 ， 不知道怎么选择 SMU? 不妨来“挖一挖” 。 在选择源表时，需要先确认待测 DUT 的电流电压最大范围，以此为参照来选择源的输出范围 , 这个输出范围是指源表对外输出恒定电压电流的功能范围 ， 这里需要注意，由于源表有总功率的限制，其输出不能同时达到电流输出和电压输出的最大值 。 源表采用四象限工作模式 ， 当电压、电流均为正时，工作在第一象限 ; 当电压为负、电流为正时，工作在第二象限 ; 当电压、电流均为负时，工作在第三象限 ; 当电压为正、电流为负时，工作在第四象限 。 以 SiC 、 GaN 为代表的第三代半导体材料 ， 具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等特点，在没有自热效应的情况下测量半导体器件的真实状态至关重要 。 脉冲表征是自热效应的有效解决方案，通过短时间通电 ( 脉冲 ) 来降低温升对半导体性能的影响，进而得到更真实的数据，实现更快速和更精准的测量。 对于高速数字化或波形采集的应用场景，脉冲测试具有更高的分辨率 , 可以做到更优的采样性能 , 在同等带宽下可获得更精确的瞬态特性 , 是波形捕获和瞬态特性应用的理想选择。 功率器件测试用HCPL100型高电流脉冲电源 考虑数字源表的测试指标时 , 关键术语不要忽视，例如 : 精度、重复 、 分辨率、灵敏度和 NPLC 采样时间。 以精度为例，源表关注的测量精度应电流测量精度和电压测量精度, 例如，在功率器件静态参数测试中 , 关注 1000A 及以上高电流量程下的输出及测量精度尤为重要。 当用户有多路测试需求时，我们推荐用户选择普赛斯 CS 系列插卡式数字源表，最高可实现 40 路同时测量及输出 ； 也可以选择将多台单通道数字源表 (SMU) 连接起来 , 作为多通道源 / 测量单元使用，无需复杂的布线通过此功能，只需要对主机和从机进行相关触发设置主机可以从 SMU A 向从机发送测试数据，接上专用的触发信号线之后 , 即可实现多台源表间的同步 。 那么我们又该如何选择源表的品牌呢 ? 在国内半导体产业快速发展的背景下 , 我们在实验测试环节被拿捏的死死的。 关键技术卡脖子 ? 卡在哪儿 ? 大概就是，咱们想买还买不到，问就是“没货源”、“交期长”、“售后难” 讲到这儿，懂的都懂。 如需了解更详细的选型指导和产品资料 不妨再来 普赛斯仪表 “挖一挖”

​ 转载--- 张飞实战电子 2020-04-11 19:30 二极管（Diode）算是半导体家族中的元老了，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。 根据材料的导电能力，我们将形形色色的材料划分为导体、绝缘体和半导体。半导体是一种具有特殊性质的物质，它的导电能力介于导体和绝缘体之间，所以被称为半导体。常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。 下面我们将从二级管的基础知识、二极管的选用，这两个方面出发对二级管进行介绍。 基础知识 01二极管的分类 二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。 02二极管的型号命名方法 （1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。 ​ 03二极管的工作原理 二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。 晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 二极管的选用 04按主要参数选择 （1） 额定正向工作电流 额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。 （2） 最大浪涌电流 最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。 （3） 最高反向工作电压 加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。 （4） 反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 （5） 反向恢复时间 从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。 （6） 最大功率 最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。 （7） 频率特性 由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN 结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 05不同二极管的选用 （1） 检波二极管 检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。 （2） 整流二极管 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。 （3） 稳压二极管 稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。 稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。 （4） 开关二极管 开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。 中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管，要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。 （5） 变容二极管 选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。 06TVS二极管选型 （1） 最高工作电压 ：要知道，在电路正常运作的情况下，TVS管是不工作的，因此TVS管的截止电压必须大于被保护电路的最高工作电压。但是也不能太高，否则箝位电压也会很高。故，在选择最高电压时，要综合考虑被保护电路的工作电压及电路的承受能力。 （2） TVS管功率选型 ：TVS 产品的额定瞬态功率应大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率。 （3） 箝位电压 ：TVS 钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压。 （4） 漏电流 ：在一些低功耗电路或高精度采集电路中，漏电流过大可能导致电路功耗过大或信号的采集精度超标。 （5） 结电容 ：TVS 的结电容一般在几十皮法至几十纳法。对于同一功率等级的 TVS，其电压越低，电容值越大。在一些通信线路中，要注意 TVS 的结电容，不能影响电路正常工作。 （6） 封装形式 ：TVS 的功率从封装形式上也可以体现，封装体积越小，其功率一般也越小，因为 TVS 的芯片面积直接决定了 TVS 的功率等级。TVS管采购商可根据电路设计及测试要求选择合适封装的 TVS 器件。 07常用整流二极管选型 二极管型号，用途，最高反向工作电压VR，最大平均整流电流IF 1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002 硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003 硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004 硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005 硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006 硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148 硅开关二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A, 1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A, 1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A, 1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A, 1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A, 1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A, 1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A, 1N5399 硅整流二极管 1000V,1.5A, 1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401 硅整流二极管 100V,3A, 1N5402 硅整流二极管 200V,3A, 1N5403 硅整流二极管 300V,3A, 1N5404 硅整流二极管 400V,3A, 1N5405 硅整流二极管 500V,3A, 1N5406 硅整流二极管 600V,3A, 1N5407 硅整流二极管 800V,3A, 1N5408 硅整流二极管 1000V,3A, 1S1553 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S1554 硅开关二极管 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S1555 硅开关二极管 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S2076 硅开关二极管 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2076A 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma, 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2471 硅开关二极管 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2471B 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma, 1S2471V 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma, 1S2472 硅开关二极管 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2473 硅开关二极管 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF, 1S2473H 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma, 2AN1 二极管 5A, f=100KHz 2CK100 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma, 2CK101 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma, 2CK102 硅开关二极管 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma, 2CK103 硅开关二极管 20V,100mA, 2PF,100ma, 2CK104 硅开关二极管 35V,100mA, 10nS,2PF,225ma, 2CK105 硅开关二极管 35V,100mA, 4nS,2PF,225ma, 2CK106 硅开关二极管 75V,100mA, 4nS,2PF,100ma, 2CK107 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma, 2CK108 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 2CK109 硅开关二极管 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 2CK110 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma, 2CK111 硅开关二极管 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 2CK150 硅开关二极管 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK161 硅开关二极管 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK4148 硅开关二极管 75V, Ir≤25nA,Vf=1V,4PF, 2CK2076 硅开关二极管 35V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF, 2CK2076A硅开关二极管 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF, 2CK2471 硅开关二极管 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK2472 硅开关二极管 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK2473 硅开关二极管 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF, 2CN1A 硅二极管 400V, 1A, f=100KHz, 2CN1B 硅二极管 100V, 1A, f=100KHz, 2CN3 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3D 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3E 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3F 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3G 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3H 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3I 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3K 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN4D 硅二极管 V, 1.5A,f=100KHz, 2CN5D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz, 2CN6 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CP1553 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF, 2CP1554 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF, 2CP1555 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF, ---end--- ​