标签: nand-flash

嵌入式系统中Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM介绍第一章存储器概述存储器通常分为两类型，即随机存取的RAM与只读的ROM。随着存储器技术的发展和嵌入式系统的要求一些新的混合型的存储器迅速发展起来，本章就目前广泛应用于嵌入式系统中的新一代存储器Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM的基础知识进行介绍。FlashMemory内部构架和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种，但目前以NAND和NOR为主流。NOR技术是由Intel公司1988年首先推出，NAND技术是由东芝公司1989年发明。NAND技术在设计之初是为了数据存储应用，NOR则是为了满足程序代码的高速访问，并且支持程序在芯片内部运行。目前关于两种技术的发展前景讨论很激烈，各种观点很多。客观来看，二者各有优势和不足。NOR工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高；而NAND则写回速度快、芯片面积小，特别是容量大有很大优势由于NOR和NAND在存储单元组织上的差异，二者的寻址方式差异较大。NAND的地址分为三部分:块号、块内页号、页内字节号。一次数据访问，NAND一般是经过三次寻址，先后确定块号、块内页号和页内字节号，至少占用三个时钟周期，因此随机字节读写速度慢。而NOR的地址线足够多，且存储单元是并列排布，可以实现一次性的直接寻址。另外，由于NOR的数据线宽度很大，即使容量增大，它的数据寻址时间基本上是一个常量，而NAND则比较困难。总之在数据传输速度上，NOR无论是在随机读取还是连续传输速度上都比NAND快，但相对而言，在连续大数据传输速度上，二者差异较小。从产品成本来看，NORFlash的平均每MB成本是NANDFlash成本的三到四倍。成本价格的巨大差异，导致NOR……